

掠入射薄膜 X 射线衍射仪
Thin-Film X-Ray Diffractometer with Grazing Incidence
- SKU XRA-0003
- X 射线衍射仪
- CE (to be confirmed)
- Radiation safety enclosure (to be confirmed)
- ISO 9001 manufacturing (to be confirmed)
价格面议 —— 按订单报 FOB / CIF 价
价格取决于配置、数量与目的港。
主要技术参数
| 入射角 | 0.1–5° |
|---|---|
| 2-theta 范围 | 0–120° |
| 光学 | parallel beam with mirror |
| 检测器 | line or area detector |
| 薄膜厚度 | 1 nm to 10 µm |
| X 射线管功率 | 1–3 kW |
作者:Lab Manufacturers China 技术团队最近复核 适用标准:ASTM E915 Verifying the alignment of X-ray diffraction instrumentation, ASTM E1426 Determining the effective elastic parameter for X-ray diffraction measurements of residual stress, USP <941> X-Ray Diffraction
什么是掠入射薄膜 X 射线衍射仪?
掠入射薄膜 X 射线衍射仪表征层、涂层和外延薄膜。它适合常规反射几何无法测量的薄膜的物相、织构和厚度分析。
什么是掠入射薄膜 X 射线衍射仪?掠入射薄膜 X 射线衍射仪表征层、涂层和外延薄膜。它适合常规反射几何无法测量的薄膜的物相、织构和厚度分析。## 概述
在几度或更小的入射角下,X 射线束仅穿透样品的近表面区域,因此基体散射最小化,薄层主导图谱。带 Goebel 反射镜或多层准直器的平行束光学将束保持在低角度,线或面检测器快速采集数据。配置测量物相鉴定、微晶取向、外延、应变和层厚,并可在同一仪器上结合掠入射衍射与反射率测量。样品平整度以及与束的对位至关重要,因为照射面积大且任何倾斜都会移动有效角度。多个入射角提供深度信息,摇摆曲线或倒易空间图分辨外延关系。该技术是半导体、光学涂层和硬质涂层开发的标准方法。## 工作原理是什么?X 射线从材料的电子密度散射。在晶体中,来自周期性晶格平面的散射在满足布拉格定律的角度发生相长干涉,产生衍射峰。衍射仪以高角度精度定位样品和检测器,并记录强度随角度或随二维检测器图像的变化。单晶仪器从全套反射确定原子结构,而粉末和薄膜仪器分析物相混合物、择优取向和层状结构。峰位给出晶格参数和应变,峰宽与微晶尺寸和微观应变相关,低角散射揭示纳米尺度特征。光学、单色器、检测器和样品台的选择决定可进行的测量,用有证标准品进行仪器对位是准确度的基础。## 主要特点有哪些?- 用于近表面分析的掠入射几何 - 平行束反射镜或多层光学 - 用于快速采集的线或面检测器 - 物相、织构、应变和厚度测量 - 多入射角提供深度信息 - 衍射与反射率测量结合选项
技术参数有哪些?典型的掠入射薄膜 X 射线衍射仪配置:入射角为 0.1–5°;2-theta 范围为 0–120°;光学为 parallel beam with mirror;检测器为 line or area detector;薄膜厚度为 1 nm to 10 µm;X 射线管功率为 1–3 kW。以上数值代表该产品类别的常见水平,具体配置参数以报价单及随机校准文件为准。## 适用于哪些应用?掠入射薄膜 X 射线衍射仪主要用于半导体薄膜和阻挡层、光学和硬质涂层、外延薄膜和衬底关系、腐蚀和氧化层分析。在更广泛的 X 射线衍射仪类别中,实验室还将其用于单晶结构测定、薄膜厚度、织构和物相分析、焊缝、涂层和加工件的残余应力。## 适用哪些标准与认证?相关标准与方法包括 ASTM E915 Verifying the alignment of X-ray diffraction instrumentation、ASTM E1426 Determining the effective elastic parameter for X-ray diffraction measurements of residual stress、USP <941> X-Ray Diffraction、ISO 20203 Carbonaceous materials—XRD of calcined coke、ISO/IEC 17025、IEC 61010-2-091。本型号的认证候选包括 CE、Radiation safety enclosure、ISO 9001 manufacturing;每项认证均需针对具体配置在发货前确认,仅提供已实际签发的证书。这些是受监管的辐射装置,需要屏蔽、联锁、辐射巡测和受训操作者。单晶必须精确安装和对中,通常用低温或湿度装置保护。薄膜和晶圆需要平整安装并与束仔细对位,反射率测量要求极低背景和精确的角度步进。残余应力方法需要规定的测量方向和弹性常数。小角系统需要长真空路径和洁净束流挡板。用标准品验证对位、角度校准和检测器线性,X 射线管、测角仪电机和面检测器是磨损件。应记录样品制备和测量条件以实现可追溯性。## 如何选择合适的掠入射薄膜 X 射线衍射仪?当需要分析数纳米至数微米层并抑制基体信号以获得物相、织构或应变信息时,选择带掠入射能力的薄膜衍射仪。请说明薄膜和衬底材料、厚度范围和所需测量。确认样品平整度要求以及是否也需要反射率测量。### 与其他 X 射线衍射仪型号相比如何?应根据结构问题选择衍射仪配置。配四圆或 kappa 测角仪和面检测器的单晶系统从小晶体确定原子结构。带掠入射光学和平行束的薄膜仪器测量涂层中的层厚、织构和物相。反射率配置在极低角度测量电子密度剖面、界面粗糙度和层厚。残余应力仪器使用侧倾或 psi 几何并精确倾斜样品,测量金属和陶瓷中的应变。配长相机长度的小角散射系统分辨纳米级颗粒、孔隙和片层。确认角度范围和分辨率、样品环境、检测器类型和应用软件,并验证仪器能遵循任何要求的标准方法。
完整技术参数
| 入射角 | 0.1–5° |
|---|---|
| 2-theta 范围 | 0–120° |
| 光学 | parallel beam with mirror |
| 检测器 | line or area detector |
| 薄膜厚度 | 1 nm to 10 µm |
| X 射线管功率 | 1–3 kW |
| 样品尺寸 | up to 200 mm wafers |
| 织构测量 | rocking curves and pole figures |
| 测量气氛 | air or vacuum |
| 通信接口 | Ethernet |
以上数值代表该产品类别的常见水平。最终参数以报价单及随仪器提供的校准文件为准。
应用领域
- 半导体薄膜和阻挡层
- 光学和硬质涂层
- 外延薄膜和衬底关系
- 腐蚀和氧化层分析
主要特点
- 用于近表面分析的掠入射几何
- 平行束反射镜或多层光学
- 用于快速采集的线或面检测器
- 物相、织构、应变和厚度测量
- 多入射角提供深度信息
- 衍射与反射率测量结合选项
关于掠入射薄膜 X 射线衍射仪的常见问题
在小角度下,束路径靠近表面,因此在穿透更深之前主要与顶层作用。照射面积大但穿透深度小,因此即使基体高度结晶,薄膜的衍射也占主导。
小晶粒给出宽峰且衍射晶粒少,因此强度波动且峰宽增加。较大晶粒给出更锐利的峰但斑点状、较不均匀的环。旋转样品、使用面检测器并在更大面积上测量可改善薄膜统计。
可以,围绕某个反射的摇摆曲线揭示面外取向分布,极图揭示面内取向。对极薄膜信号较弱,因此使用更长计数、面检测器或更强光源。织构分析定量外延和择优生长方向。
单晶衍射测量来自一个晶体的单独反射,数据足以解析完整原子结构,包括键长和键角。粉末衍射测量许多随机取向微晶的重叠反射,可鉴定和定量物相,但单靠它无法确定完整原子结构。
将样品倾斜到若干角度,并在每个倾斜角测量所选衍射峰的移动。由峰移计算晶格应变,再由应变和材料弹性常数得出应力。方法遵循 ASTM E1426 等标准,并要求规定测量方向。
在非常小的入射角下,X 射线束仅探测薄膜或涂层的近表面区域,减少来自基体的信号。这允许对仅数纳米至数微米厚的层进行物相鉴定、织构和深度剖析,用于半导体、光学涂层和腐蚀膜。
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